公司技術(shù)平臺(tái)已迭代更新至第四代智能 MOS 數(shù)字式多片集成平臺(tái)，支撐形成 AC-DC 開發(fā)平臺(tái)、DC-DC 開發(fā)平臺(tái)、Driver 開發(fā)平臺(tái)、Charger 開發(fā)平臺(tái)和接口電路開發(fā)平臺(tái)
具備國(guó)內(nèi)IDM廠商中L先的晶圓制造產(chǎn)能規(guī)模，并且積J投建8英寸G端產(chǎn)品線，未來有望在供需兩端形成共振，成長(zhǎng)潛力可期
公司是 LED 照明驅(qū)動(dòng)芯片龍頭，無論是規(guī)模和技術(shù)儲(chǔ)備均處于國(guó)內(nèi)L先地位，通用芯片穩(wěn)定盈利疊加G增長(zhǎng)的智能芯片是公司未來成長(zhǎng)的動(dòng)力。
業(yè)務(wù)覆蓋光芯片及器件、室內(nèi)光纜、線纜材料三大板塊，應(yīng)用于光纖到戶、數(shù)據(jù)中心建設(shè)、5G 建設(shè)等L域，實(shí)現(xiàn) PLC 分路器芯片市場(chǎng)占有率D一
寒武紀(jì) AI 芯片對(duì)比 GPU 具有G效能, 低成本, 低耗能核心競(jìng)爭(zhēng)力，算單元芯片面積較小，卻有 2 倍以上G效能，50%低耗能優(yōu)勢(shì)
布局 8 英寸單晶硅拋光片，2020 年起量產(chǎn)，神工股份募投項(xiàng)目新增年產(chǎn) 180萬片8英寸半導(dǎo)體級(jí)硅單晶拋光片以及36萬片半導(dǎo)體級(jí)硅單晶陪片，2020年將實(shí)現(xiàn)8,000 片/月的生產(chǎn)規(guī)模
華峰測(cè)控主營(yíng)業(yè)務(wù)為模擬及混合信號(hào)類集成電路測(cè)試系統(tǒng)，在 V/I 源、精密電壓電流測(cè)量、寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試和智能功率模塊測(cè)試四個(gè)關(guān)鍵方面擁有先進(jìn)的核心技術(shù)
EEPROM 受疫情影響智能手機(jī)出貨量，收入端同比倒退，由于供給端競(jìng)爭(zhēng)格局加劇，我們預(yù)計(jì)價(jià)格有一定壓力，拖累EEPROM 業(yè)務(wù)整體收入倒退 6.5%至 4.2 億元
公司是多媒體智能終端芯片L航者，隨著客戶持續(xù)開拓以及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化，公司產(chǎn)品市場(chǎng)份額有望加速提升，8K超G清電視芯片技術(shù)持續(xù)突破，未來公司份額和市場(chǎng)地位有望加速提升
芯源微是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備稀缺供應(yīng)商，在 LED 芯片制造及集成電路后道先進(jìn)封裝等環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代， 公司作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備稀缺標(biāo)的，產(chǎn)品和技術(shù)實(shí)力強(qiáng)勁
國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)G端集成電路 CMP 拋光液量產(chǎn)的G新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品包括不同系列的 CMP 拋光液和光刻膠去除劑，以G端半導(dǎo)體晶圓制造為突破口，并不斷向G端封裝等表面處理材料延伸
中微公司CCP電容式刻蝕機(jī)已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)技術(shù)水平7nm/5nm，在存儲(chǔ)器中64層3D NAND已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，128層3D NAND穩(wěn)步推進(jìn)引L國(guó)內(nèi)大規(guī)模進(jìn)口替代，ICP電感式突破至1Xnm，未來有望導(dǎo)入產(chǎn)線加大應(yīng)用
